Semua produk
-
DavidPerusahaan yang baik dengan layanan yang baik dan kualitas tinggi dan reputasi tinggi. Salah satu pemasok terpercaya kami, barang dikirim tepat waktu dan paket bagus. -
John MorrisPakar material, pemrosesan yang ketat, penemuan masalah yang tepat waktu dalam gambar desain dan komunikasi dengan kami, layanan yang bijaksana, harga yang wajar dan kualitas yang baik, saya yakin kami akan memiliki lebih banyak kerja sama. -
jorgeTerima kasih atas layanan purna jual Anda yang baik. Keahlian yang sangat baik dan dukungan teknis banyak membantu saya. -
petramelalui komunikasi yang sangat baik semua masalah terpecahkan, puas dengan pembelian saya -
Adrian HayterBarang yang dibeli kali ini sangat memuaskan, kualitasnya sangat bagus, dan perawatan permukaannya sangat bagus. Saya percaya kami akan memesan pesanan berikutnya segera.
Kontak Person :
Nicole
Nomor telepon :
13186382597
ada apa :
+8613186382597
20mm Molybdenum Sputtering Target Untuk Industri Semikonduktor Molybdenum Target Molybdenum Disc produk molibdenum
Hubungi saya untuk sampel gratis dan kupon.
ada apa:0086 18588475571
Wechat wechat: 0086 18588475571
Skype: sales10@aixton.com
Jika Anda memiliki masalah, kami menyediakan bantuan online 24 jam.
xDetail produk
| nama | Molybdenum Sputtering Target Untuk Industri Semikonduktor | Bahan | Paduan molibdenum dan molibdenum |
|---|---|---|---|
| Kemurnian | 99,95% | Kepadatan | 10,2g/cm3 |
| Ketebalan | <20mm | Diameter | <300mm |
| Permukaan | Dipoles | Standar | ASTM B386 |
| Menyoroti | 20mm Molibdenum Sputtering Target,Target Sputtering Molibdenum yang Dipoles,99 |
||
Deskripsi Produk
Target Sputtering Molibdenum Untuk Industri Semikonduktor
1. Deskripsi Target Sputtering Molibdenum Untuk Industri Semikonduktor:
Molibdenum adalah logam tahan api serbaguna dengan kualitas mekanik yang luar biasa, koefisien muai yang rendah, konduktivitas termal yang kuat, dan konduktivitas listrik yang sangat tinggi pada suhu tinggi.Ada banyak kombinasi yang dapat digunakan sebagai target sputtering, termasuk target molibdenum murni, target molibdenum titanium, target molibdenum tantalum, dan target paduan molibdenum (seperti pelat TZM).
Bahan yang digunakan untuk semikonduktor meliputi target logam murni seperti tungsten, molibdenum, niobium, titanium, dan silikon, selain zat seperti oksida atau nitrida.Sama pentingnya dengan parameter operasi pengendapan yang disempurnakan oleh para insinyur dan ilmuwan selama proses pelapisan adalah prosedur pemilihan material.
2. UkuranTarget Sputtering Molibdenum Untuk Industri Semikonduktor:
Ketebalan: <20mm
Diameter: <300mm
Permukaan: Dipoles
Standar: ASTM B386
Ukuran lain dapat diproses sesuai gambar pelanggan.
3. Kandungan KimiaTarget Sputtering Molibdenum Untuk Industri Semikonduktor:
| Analisis kuantitatif | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Elemen | Tidak | mg | Fe | hal | Al | Dua | Ya | CD | Ca | P | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Konsentrasi(%) | 0,003 | 0,002 | 0,005 | 0,0001 | 0,002 | 0,0001 | 0,002 | 0,0001 | 0,002 | 0,001 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Elemen | C | HAI | N | Sb | sn | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Konsentrasi(%) | 0,01 | 0,003 | 0,003 | 0,0005 | 0,0001 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Kemurnian (Basis Logam) Mo≥99,95% | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
4. Sifat Fisika dan MekanikTarget Sputtering Molibdenum Untuk Industri Semikonduktor:
| Properti | Molibdenum Murni | Molibdenum yang diolah | Paduan molibdenum suhu tinggi | ||
| Koefisien atom | 42 | ||||
| Berat atom (m) | 95,95 | ||||
| Konstanta kisi(a) | kubus berpusat pada tubuh | 3.14'10-10 | |||
| Kepadatan (r) | 10.2g/cm3 | ||||
| Titik lebur (t) | 2620±10℃ | ||||
| Titik didih (t) | 4800℃ | ||||
| Koefisien ekspansi linier (a1) | 20℃ | 5,3'10-6/K | 5,3'10-6/K | 5,3'10-6/K | |
| 20-1000℃ | 5,8'10-6/K | 5,8'10-6/K | 5,8'10-6/K | ||
| 20-1500℃ | 6,5'10-6/K | 6,5'10-6/K | 6,5'10-6/K | ||
| Panas spesifik (u) | 20℃ | 0,25J/g·K | 0,25J/g·K | 0,25J/g·K | |
| 1000℃ | 0,31J/g·K | 0,31J/g·K | 0,31J/g·K | ||
| 2000℃ | 0,44J/g·K | 0,44J/g·K | 0,44J/g·K | ||
| Konduktivitas termal (l) | 20℃ | 142 W/m·K | 142 W/m·K | 126 W/m·K | |
| 1000℃ | 105 W/m·K | 105 W/m·K | 98 W/m·K | ||
| 1500℃ | 88 W/m·K | 88 W/m·K | 86 W/m·K | ||
| Resistivitas (r) | 20℃ | 0,052mWm | 0,065mWm | 0,055mWm | |
| 1000℃ | 0,27mWm | 0,28mWm | 0,31mWm | ||
| 1500℃ | 0,43mWm | 0,43mWm | 0,45mWm | ||
| 2000℃ | 0,60mWm | 0,63mWm | 0,66mWm | ||
| Energi yang bersinar | 730℃ | 5500,0W/m2 | |||
| 1330℃ | 6300,0W/m2 | ||||
| 1730℃ | 19200.0W/m2 | ||||
| 2330℃ | 700000,0W/m2 | ||||
| Penampang Penyerapan Neutron Termal | 2,7'10-28m2 | 2,7'10-28m2 | 2,7'10-28m2 | ||
| Kekuatan tarik (Sb) | pelat 0,10-8,00 mm | 590~785MPa | 450~520MPa | 690~1130MPa | |
| kawat f0.80 | 1020MPa | 1570MPa | |||
| Kekuatan Hasil (S0.2) | pelat 0,10-8,00 mm | 540~620MPa | 290~360MPa | 620~1000MPa | |
| Pemanjangan(%) | pelat 0,10-8,00 mm | 3~17 | 15~75 | 2~8 | |
| kawat f0.80 | 1.5 | 2 | |||
| Modulus Elastis(E) | 20℃ | 320GPa | 320GPa | 320GPa | |
| 1000℃ | 270GPa | 270GPa | 270GPa | ||
| Kekerasan (HV10) | ＜70%Pelat deformasi | 200~280 | 240~340 | ||
| ＞70%Pelat deformasi | 260~360 | 300~450 | |||
| Pelat yang dikristalisasi ulang | 140~160 | 170~190 | ＜200 | ||
| Suhu transisi rapuh plastik (T) | -40~40℃ | ||||
| Suhu rekristalisasi awal (T) | ＞90% Pelat deformasi 1 jam Anil | 900℃ | 1400℃ | 1250℃ | |
| suhu rekristalisasi akhir (T) | Dianil oleh 1 | 1200℃ | 1700℃ | 1600℃ | |
5. FiturTarget Sputtering Molibdenum Untuk Industri Semikonduktor:
Lapisan tergagap melekat pada substrat lebih baik dibandingkan teknik pengendapan konvensional, dan bahan dengan suhu leleh sangat tinggi, seperti molibdenum dan tungsten, sangat mudah untuk tergagap.Selain itu, penguapan hanya dapat dilakukan dari bawah ke atas, sedangkan sputtering dapat dilakukan dua arah.
Target sputtering sering kali berbentuk bulat atau persegi panjang, meskipun tersedia juga opsi persegi dan segitiga.Substrat adalah benda yang perlu dilapisi, mulai dari sel surya, komponen optik, hingga wafer semikonduktor.Ketebalan lapisan biasanya berkisar dari angstrom hingga mikron.Membran dapat terdiri dari satu bahan atau beberapa bahan yang ditumpuk berlapis-lapis.
Kemurnian tinggi, kepadatan tinggi, sifat butiran halus dan konsisten terdapat dalam target sputtering molibdenum, menghasilkan efisiensi sputtering yang sangat tinggi, ketebalan film homogen, dan permukaan etsa yang bersih selama proses sputtering.
Silakan klik tombol di bawah untuk mempelajari lebih lanjut produk kami.
Rekomendasi Produk